Vishay SI3442BDV-T1-E3
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Obsolete
Preço e estoque
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Revendedores não autorizados
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| CoreStaff | ST43672427 | 3.586 | 1 | 1d | ||||||||
| DigiKey | SI3442BDV-T1-E3CT-ND | 96 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| TTI Europe | SI3442BDV-T1-E3 | 0 | 3K | Tape & Reel | 9h | |||||||
| TTI Asia | SI3442BDV-T1-E3 | Contato | 10h | |||||||||
| Farnell | SI3442BDV-T1-E3 | 0 | 1 | Cut Tape | 6h |
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| FONTE | eCAD | mCAD | ARQUIVOS |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SímboloPegada | 3D | Baixar |
 Ultra Librarian | SímboloPegada | Baixar |
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Cadeia de suprimentos
Country of OriginIsrael
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2003-11-21
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2024-11-03
LTD Date2025-05-03
Peças relacionadas
VishaySI3585CDV-T1-GE3
Trans MOSFET N/P-CH 20V 3.5A/1.9A 6-Pin TSOP T/R / MOSFET N/P-CH 20V 3.9A 6TSOP
InfineonBSL207NL6327
500mW 12V 1.2V@ 11¦ÌA 2.1nC@ 4.5V 2N 20V 70m¦¸@ 2.1A,4.5V 2.1A 419pF@10V SOP 3mm*1.5mm*1.1mm
Descrições
Descrições de Vishay SI3442BDV-T1-E3 fornecidas pelos seus distribuidores.
Single N-Channel 20 V 0.057 Ohms Surface Mount Power Mosfet - TSOP-6
860mW(Ta) 12V 1.8V@ 250¦ÌA 5nC@ 4.5 V 1N 20V 57m¦¸@ 4A,4.5V 3A 295pF@10V TSOP-6
Trans MOSFET N-CH 20V 3A 6-Pin TSOP T/R
N-CHANNEL 2.5-V (G-S) MOSFET Small Signal Field-Effect Transistor, 3A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-193AA
MOSFET, N, TSOP; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:3A; Drain Source Voltage Vds:2.5V; On Resistance Rds(on):70mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V; Threshold Voltage Vgs Typ:1.8V; Power Dissipation Pd:860mW; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:TSOP; No. of Pins:6; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Base Number:3442; Current Id Max:3A; Output Current Max:860mA; Package / Case:TSOP; Power Dissipation Pd:860mW; Power Dissipation Pd:20mW; Pulse Current Idm:20A; Termination Type:SMD; Voltage Vds Typ:20V; Voltage Vgs Max:12V; Voltage Vgs Rds on Measurement:4.5V
Nomes alternativos do fabricante
Vishay possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Vishay também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- Vishay Techno
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTSOP
MountSurface Mount
Number of Pins6
Number of Terminals6
Weight19.986414 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)3 A
Drain to Source Breakdown Voltage20 V
Drain to Source Resistance57 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)20 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time15 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)12 V
Input Capacitance295 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation860 mW
Min Breakdown Voltage20 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs1.8 V
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingCut Tape
Power Dissipation20 mW
Rds On Max57 mΩ
Resistance57 mΩ
Rise Time50 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage1.8 V
Turn-Off Delay Time20 ns
Turn-On Delay Time35 ns
Dimensions
Height1 mm
Length3.05 mm
Width1.65 mm
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade