Vishay SI2323CDS-T1-GE3
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Power MOSFET, P Channel, 20 V, 5.3 A, 0.039 ohm, SOT-23, Surface Mount
VishaySI2377EDS-T1-GE3
Trans MOSFET P-CH 20V 4.4A 3-Pin SOT-23 T/R / MOSFET P-CH 20V 4.4A SOT-23
Descrições
Descrições de Vishay SI2323CDS-T1-GE3 fornecidas pelos seus distribuidores.
P-Channel 20 V 0.039 Ohm 2.5 W Surface Mount Power Mosfet - SOT-23-3
MOSFET P-CH 20V 6A SOT-23 / Trans MOSFET P-CH 20V 4.6A 3-Pin SOT-23 T/R
Small Signal Field-Effect Transistor, 6A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236AB
MOSFET, P CH, -20V, -6A, SOT-23; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-6A; Drain Source Voltage Vds:-20V; On Resistance Rds(on):0.032ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-4.5V; Power Dissipation Pd:2.5W; Operating Temperature Min:-55°C; Operating Temperature Max:150°C; Transistor Case Style:SOT-23; No. of Pins:3; MSL:-
Nomes alternativos do fabricante
Vishay possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Vishay também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Polytech
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
Histórico de estoque
Tendência de 3 meses: -51.65%
Modelos CAD
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageSOT-23
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight1.437803 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)6 A
Drain to Source Breakdown Voltage-20 V
Drain to Source Resistance39 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)-20 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time12 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)8 V
Input Capacitance1.09 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2.5 W
Min Breakdown Voltage20 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs-400 mV
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingDigi-Reel®
Power Dissipation1.25 W
Rds On Max39 mΩ
Resistance39 mΩ
Rise Time23 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage-400 mV
Turn-Off Delay Time40 ns
Turn-On Delay Time15 ns
Dimensions
Height1.12 mm
Length3.04 mm
Width1.4 mm
Conformidade
Classificação ambiental
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade