Vishay SI1070X-T1-GE3
Obsolete
Preço e estoque
Distribuidores autorizados
Distribuidores de estoque não autorizados
Revendedores não autorizados
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TTI Asia | SI1070X-T1-GE3 | Contato | 1d | |||||||||
| Farnell | SI1070X-T1-GE3 | 720 | 1 | Cut Tape | 15h | |||||||
| element14 APAC | SI1070X-T1-GE3 | 720 | 1 | Cut Tape | 3h | |||||||
| Win Source | WS-SI1070X-T1-GE3 | 62.400 | 180 | 14h | ||||||||
| Esaler Electronic | SI1070X-T1-GE3 | 3.000 | 2d |
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DIODES INC. - DMN100-7-F - MOSFET Transistor, N Channel, 1.1 A, 30 V, 0.24 ohm, 10 V, 3 V
Descrições
Descrições de Vishay SI1070X-T1-GE3 fornecidas pelos seus distribuidores.
MOSFET, N-CH, 30V, 1.2A, SC-89; Available until stocks are exhausted Alternative available
SI1070X-T1-GE3 N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 1.2 A, 30 V, 6-PIN SC-89
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Nomes alternativos do fabricante
Vishay possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Vishay também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Polytech
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
Histórico de estoque
Tendência de 3 meses: +0.00%
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Peças alternativas
0 peça disponível
Especificações técnicas
Physical
Case/PackageSC
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins6
Number of Terminals6
Weight32.006612 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)1.2 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance99 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time22 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)12 V
Input Capacitance385 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation236 mW
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs1.55 V
Number of Channels1
Number of Elements1
Rds On Max99 mΩ
Rise Time22 ns
Schedule B8541210080
Turn-Off Delay Time14 ns
Turn-On Delay Time10 ns
Dimensions
Height600 µm
Length1.7 mm
Width1.2 mm
Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSCompliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade