Vishay IRLZ14SPBF
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Cadeia de suprimentos
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date1994-05-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 9 months ago)
Peças relacionadas
VishayIRLZ14STRLPBF
N-Channel MOSFET 10V 2V@250µA 8.4nC@5V 60V 200mΩ@6A,5V 10A 400pF@25V D2PAK/TO-263 SMD
InfineonIRF9Z24NSTRLPBF
MOSFET P-CH 55V 12A D2PAK "P-Channel 55 V 12A (Tc) 3.8W (Ta), 45W (Tc) Surface Mount D2PAK"
Descrições
Descrições de Vishay IRLZ14SPBF fornecidas pelos seus distribuidores.
Single N-Channel 60 V 0.2 Ohms Surface Mount Power Mosfet - D2PAK
Trans MOSFET N-CH Si 60V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 60V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
MOSFET, N D2-PAK; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 10A; Drain Source Voltage Vds: 60V; On Resistance Rds(on): 200mohm; Power Dissipation Pd: 43W; Transistor Case Style: D2-PAK; SVHC: No SVHC (20-Jun-
Nomes alternativos do fabricante
Vishay possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Vishay também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY OPTO
- VISHAY FOIL RESISTORS
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Vishay Techno
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageD2PAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Weight1.437803 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)10 A
Drain to Source Breakdown Voltage60 V
Drain to Source Resistance200 mΩ
Drain to Source Voltage (Vds)60 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time26 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)10 V
Input Capacitance400 pF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation43 W
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation3.7 W
Rds On Max200 mΩ
Recovery Time130 ns
Resistance200 mΩ
Rise Time110 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time17 ns
Turn-On Delay Time9.3 ns
Dimensions
Height4.83 mm
Length10.41 mm
Width9.65 mm
Conformidade
Classificação ambiental
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCUnaffected
RoHSCompliant
Declarações de conformidade