Vishay IRLR024TRPBF
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Cadeia de suprimentos
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1990-01-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 9 months ago)
LTB Date2008-06-30
LTD Date2008-09-30
Descrições
Descrições de Vishay IRLR024TRPBF fornecidas pelos seus distribuidores.
Single N-Channel 60 V 0.1 Ohms Surface Mount Power Mosfet - TO-252
POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 60V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA
2.5W(Ta)，42W(Tc) 10V 2V@ 250µA 18nC@ 5 V 1individualNChannel 60V 100mΩ@ 8.4A,5V 14A 870pF@25V TO-252 SMD mount 6.73mm*6.22mm*2.38mm
Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:60V; Continuous Drain Current Id:14A; Transistor Mounting:Surface Mount; Rds(On) Test Voltage:5V; Gate Source Threshold Voltage Max:2V; Power Dissipation:2.5W; No. Of Pins:3Pins Rohs Compliant: No |Vishay IRLR024TRPBF.
Nomes alternativos do fabricante
Vishay possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Vishay também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY OPTO
- VISHAY FOIL RESISTORS
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Vishay Techno
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
Histórico de estoque
Tendência de 3 meses: Restocked
Modelos CAD
Baixe o símbolo, a pegada e o 3D STEP
Peças alternativas
0 peça disponível
Especificações técnicas
Physical
Case/PackageDPAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Weight1.437803 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)14 A
Drain to Source Breakdown Voltage60 V
Drain to Source Resistance100 mΩ
Drain to Source Voltage (Vds)60 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time41 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)10 V
Input Capacitance870 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation42 W
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation2.5 W
Rds On Max100 mΩ
Resistance100 mΩ
Rise Time110 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time23 ns
Turn-On Delay Time11 ns
Dimensions
Height2.39 mm
Length6.73 mm
Width6.22 mm
Conformidade
Classificação ambiental
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCUnaffected
RoHSCompliant
Declarações de conformidade