Vishay IRL640SPBF
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Tendência de 3 meses: -32.28%
Modelos CAD
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Peças alternativas
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Fichas técnicas e documentos
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Cadeia de suprimentos
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2008-09-11
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Peças relacionadas
InfineonIRF640NSTRLPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 200V;RDS(ON) 0.15Ohm;ID 18A;D2Pak;PD 150W;VGS +/-20V;-55
Descrições
Descrições de Vishay IRL640SPBF fornecidas pelos seus distribuidores.
Single N-Channel 200 V 0.18 Ohms Surface Mount Power Mosfet - D2PAK-3
POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 200V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
N Channel Mosfet, 200V, 17A Smd-220; Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:200V; Continuous Drain Current Id:17A; Transistor Mounting:Surface Mount; Rds(On) Test Voltage:5V; Gate Source Threshold Voltage Max:2V Rohs Compliant: No |Vishay IRL640SPBF.
Nomes alternativos do fabricante
Vishay possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Vishay também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- Vishay Techno
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
Histórico de estoque
Tendência de 3 meses: -32.28%
Modelos CAD
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Peças alternativas
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageD2PAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Weight1.437803 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)17 A
Drain to Source Breakdown Voltage200 V
Drain to Source Resistance180 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)200 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time52 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)10 V
Input Capacitance1.8 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation125 W
Min Breakdown Voltage200 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingBulk
Power Dissipation3.1 W
Rds On Max180 mΩ
Resistance180 mΩ
Rise Time83 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage2 V
Turn-Off Delay Time44 ns
Turn-On Delay Time8 ns
Dimensions
Height5.08 mm
Length10.67 mm
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade