Vishay IRFR210PBF
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| FONTE | eCAD | mCAD | ARQUIVOS |
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Cadeia de suprimentos
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1997-07-21
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2008-06-30
LTD Date2008-09-30
Descrições
Descrições de Vishay IRFR210PBF fornecidas pelos seus distribuidores.
MOSFET, POWER, N-CH, VDSS 200V, RDS(ON) 1.5 OHMS, ID 2.6A, TO-252AA, PD 25W, VGS +/-20V
Single N-Channel 200 V 1.5 Ohm 25 W Surface Mount Power Mosfet - TO-252-3
POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 2.6A I(D), 200V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA
Transistor Polarity:n Channel; Drain Source Voltage Vds:200V; Continuous Drain Current Id:2.6A; On Resistance Rds(On):1.5Ohm; Transistor Mounting:surface Mount; Rds(On) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4V; Product Range:- Rohs Compliant: No
MOSFET, N, 200V, 2.6A, D-PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:2.6A; Drain Source Voltage Vds:200V; On Resistance Rds(on):1.5ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:4V; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:D-PAK; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Alternate Case Style:D-PAK; Current Id Max:2.6A; Current Temperature:25°C; Full Power Rating Temperature:25°C; Junction to Case Thermal Resistance A:5°C/W; Package / Case:DPAK; Power Dissipation Pd:25W; Power Dissipation Pd:25W; Pulse Current Idm:10A; SMD Marking:IRFR210; Termination Type:SMD; Voltage Vds:200V; Voltage Vds Typ:200V; Voltage Vgs Max:20V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
Nomes alternativos do fabricante
Vishay possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Vishay também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Polytech
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageDPAK
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Weight1.437803 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)2.6 A
Current Rating2.6 A
Drain to Source Breakdown Voltage200 V
Drain to Source Resistance1.5 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)200 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time8.9 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance140 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation25 W
Min Breakdown Voltage200 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Rds On Max1.5 Ω
Recovery Time310 ns
Resistance1.5 Ω
Rise Time17 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage4 V
Turn-Off Delay Time14 ns
Turn-On Delay Time8.2 ns
Voltage Rating (DC)200 V
Dimensions
Height2.39 mm
Length6.73 mm
Width6.22 mm
Conformidade
Classificação ambiental
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declarações de conformidade