Vishay IRFP254PBF
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Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1990-01-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Peças relacionadas
InfineonIRFP250MPBF
200V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-247AC Series M package, TO247-3, RoHS
InfineonIRFP250NPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 200V;RDS(ON) 0.075Ohm;ID 30A;TO-247AC;PD 214W;VGS +/-20V
InfineonIRFP260MPBF
Trans MOSFET N-CH Si 200V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube / MOSFET N-CH 200V 50A TO-247AC
Descrições
Descrições de Vishay IRFP254PBF fornecidas pelos seus distribuidores.
Single N-Channel 250 V 0.14 Ohms Flange Mount Power Mosfet - TO-247AC
MOSFET, POWER, N-CH, VDSS 250V, RDS(ON) 0.14OHM, ID 23A, TO-247AC, PD 190W, VGS +/-20V
Power Field-Effect Transistor, 23A I(D), 250V, 0.14ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247
N Channel Mosfet, 250V, 23A, To-247; Transistor Polarity:n Channel; Drain Source Voltage Vds:250V; Continuous Drain Current Id:23A; On Resistance Rds(On):0.14Ohm; Transistor Mounting:through Hole; Rds(On) Test Voltage Vgs:10V; Msl:- Rohs Compliant: No
Nomes alternativos do fabricante
Vishay possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Vishay também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Polytech
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTO-247-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight38.000013 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)23 A
Drain to Source Breakdown Voltage250 V
Drain to Source Resistance140 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)250 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time50 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance2.7 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation190 W
Min Breakdown Voltage250 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs4 V
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingBulk
Power Dissipation190 W
Rds On Max140 mΩ
Recovery Time560 ns
Resistance140 mΩ
Rise Time63 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage4 V
Turn-Off Delay Time74 ns
Turn-On Delay Time15 ns
Dimensions
Height20.7 mm
Length15.87 mm
Width5.31 mm
Conformidade
Classificação ambiental
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declarações de conformidade