Vishay IRFIB7N50APBF
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Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
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STMicroelectronicsSTF11NM50N
N-channel 500 V, 0.40 Ohm typ., 8.5 A MDmesh II Power MOSFET in a TO-220FP package
STMicroelectronicsSTP9NK50ZFP
STP9NK50ZFP N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 7.2 A, 500 V, 3-PIN TO-220FP
Descrições
Descrições de Vishay IRFIB7N50APBF fornecidas pelos seus distribuidores.
Single N-Channel 500 V 520 mOhms Flange Mount Power Mosfet - TO-220FP
MOSFET, POWER, N-CH, VDSS 500V, RDS(ON) 0.52OHM, ID 6.6A, TO-220 FULL-PAK, PD 60W
Trans MOSFET N-CH 500V 6.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 6.6A I(D), 500V, 0.52ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
MOSFET; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage, Vds:500V; Continuous Drain Current, Id:6.6A; On Resistance, Rds(on):520mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:10V; Package/Case:TO-220 FULLPAK ;RoHS Compliant: Yes
Nomes alternativos do fabricante
Vishay possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Vishay também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Polytech
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
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Tendência de 3 meses: -8.52%
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTO-220-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight6.000006 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)6.6 A
Current Rating6.6 A
Drain to Source Breakdown Voltage500 V
Drain to Source Resistance520 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)500 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time28 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance1.423 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation60 W
Min Breakdown Voltage500 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingBulk
Power Dissipation60 W
Rds On Max520 mΩ
Resistance520 MΩ
Rise Time35 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage4 V
Turn-Off Delay Time32 ns
Turn-On Delay Time14 ns
Voltage Rating (DC)500 V
Dimensions
Height9.8 mm
Length10.63 mm
Width4.83 mm
Conformidade
Classificação ambiental
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade