Vishay IRFI730GPBF
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Cadeia de suprimentos
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1993-09-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 9 months ago)
LTB Date2008-06-30
LTD Date2008-09-30
Peças relacionadas
InfineonSPA04N50C3XKSA1
MOSFET N-CH 560V 4.5A TO220-FP N-Channel 560 V 4.5A (Tc) 31W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-31
InfineonIPA50R800CEXKSA2
MOSFET N-CH 500V 5A TO220-FP N-Channel 500 V 5A (Tc) 26.4W (Tc) Through Hole PG-TO220-FP
Descrições
Descrições de Vishay IRFI730GPBF fornecidas pelos seus distribuidores.
Single N-Channel 400 V 1 Ohms Flange Mount Power Mosfet - TO-220FP
Trans MOSFET N-CH 400V 3.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
Transistor Polarity:n Channel; Drain Source Voltage Vds:400V; Continuous Drain Current Id:3.7A; On Resistance Rds(On):1Ohm; Transistor Mounting:through Hole; Rds(On) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4V; No. Of Pins:3Pins Rohs Compliant: No
POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 3.7A I(D), 400V, 1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
Nomes alternativos do fabricante
Vishay possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Vishay também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY OPTO
- VISHAY FOIL RESISTORS
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Vishay Techno
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTO-220-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight6.000006 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)3.7 A
Drain to Source Resistance1 Ω
Drain to Source Voltage (Vds)400 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time14 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance700 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation35 W
Min Breakdown Voltage400 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs4 V
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingBulk
Power Dissipation35 W
Rds On Max1 Ω
Resistance1 Ω
Rise Time15 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time38 ns
Turn-On Delay Time10 ns
Dimensions
Height9.8 mm
Length10.63 mm
Width4.83 mm
Conformidade
Classificação ambiental
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCUnaffected
RoHSCompliant
Declarações de conformidade