Vishay IRFI510GPBF
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Cadeia de suprimentos
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1993-09-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 3 weeks ago)
LTB Date2008-06-30
LTD Date2008-09-30
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Single N-Channel 100 V 0.036 Ohm 120 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-220-3FP
Descrições
Descrições de Vishay IRFI510GPBF fornecidas pelos seus distribuidores.
Trans MOSFET N-CH 100V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
MOSFET N-CH 100V 4.5A TO220FP | Siliconix / Vishay IRFI510GPBF
POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 100V, 0.54ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
MOSFET, N-CH, 100V, 4.5A, TO-220FP; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 4.5A; Drain Source Voltage Vds: 100V; On Resistance Rds(on): 0.54ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 4V; P
Nomes alternativos do fabricante
Vishay possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Vishay também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- Vishay Techno
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
Histórico de estoque
Tendência de 3 meses: -0.59%
Modelos CAD
Baixe o símbolo, a pegada e o 3D STEP
Peças alternativas
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTO-220-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight6.000006 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)4.5 A
Drain to Source Resistance540 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time9.4 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance180 pF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation27 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs4 V
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingBulk
Power Dissipation27 W
Rds On Max540 mΩ
Rise Time16 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage4 V
Turn-Off Delay Time15 ns
Turn-On Delay Time6.9 ns
Dimensions
Height9.8 mm
Length10.63 mm
Width4.83 mm
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade