Vishay IRFBC30ALPBF
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Revendedores não autorizados
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TME | IRFBC30ALPBF | 0 | 1 | 6h | ||||||||
| Avnet | IRFBC30ALPBF | 0 | 1K | 10h | ||||||||
| TTI Asia | IRFBC30ALPBF | Contato | 11h | |||||||||
| TTI Europe | IRFBC30ALPBF | 0 | 1K | Tube | 11h | |||||||
| Mouser | 844-IRFBC30ALPBF | 432 | 1 | Tube |
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| FONTE | eCAD | mCAD | ARQUIVOS |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SímboloPegada | 3D | Baixar |
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Cadeia de suprimentos
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2000-05-11
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Peças relacionadas
STMicroelectronicsSTB4NK60Z-1
N-channel 600 V, 1.76 Ohm, 4 A SuperMESH(TM) Power MOSFET in I2PAK
STMicroelectronicsSTFI4N62K3
N-channel 620 V, 1.7 Ohm typ., 3.8 A, SuperMESH3(TM) Power MOSFET in I2PAKFP package
onsemiFQI6N60CTU
Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 600V, 2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
Descrições
Descrições de Vishay IRFBC30ALPBF fornecidas pelos seus distribuidores.
Single N-Channel 600 V 3.6 A 74 W Through Hole Power MOSFET - TO-262
74W(Tc) 30V 4.5V@ 250¦ÌA 23nC@ 10 V 1N 600V 2.2¦¸@ 2.2A,10V 3.6A 510pF@25V I2PAK 10.67mm*4.83mm*9.65mm
Power Field-Effect Transistor, 3.6A I(D), 600V, 2.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA
NCHAN, SMD-220, 600V IRFBC30ALPBF
N CHANNEL MOSFET, 600V, 3.6A TO-262; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:3.6A; Drain Source Voltage Vds:600V; On Resistance Rds(on):2.2ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4.5V
Nomes alternativos do fabricante
Vishay possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Vishay também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Polytech
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTO-262-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight2.387001 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)3.6 A
Drain to Source Resistance2.2 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time12 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance510 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation74 W
Min Breakdown Voltage600 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingBulk
Rds On Max2.2 Ω
Rise Time13 ns
Threshold Voltage4.5 V
Turn-Off Delay Time19 ns
Turn-On Delay Time9.8 ns
Dimensions
Height9.65 mm
Length10.67 mm
Width4.83 mm
Conformidade
Classificação ambiental
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade