Vishay IRF9640SPBF
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| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TME | IRF9640SPBF | 0 | 1 | 15h | ||||||||
| TTI | IRF9640SPBF | 0 | 1K | Tube | 4h | |||||||
| Newark | IRF9640SPBF | 0 | 1 | |||||||||
| Future Electronics | IRF9640SPBF | 0 | 50 | Tube | ||||||||
| Avnet | IRF9640SPBF | 0 | 1K | 4h |
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Cadeia de suprimentos
Country of OriginIsrael
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date1993-09-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Peças relacionadas
VishayIRF9640STRRPBF
MOSFET P-CH 200V 11A D2PAK / P-Channel 200 V 11A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263)
InfineonIRF6215STRLPBF
MOSFET, Power;P-Ch;VDSS -150V;RDS(ON) 0.29Ohm;ID -13A;D2Pak;PD 110W;VGS +/-20V
InfineonIRF6215STRRPBF
MOSFET, Power;P-Ch;VDSS -150V;RDS(ON) 0.29Ohm;ID -13A;D2Pak;PD 110W;VGS +/-20V
Descrições
Descrições de Vishay IRF9640SPBF fornecidas pelos seus distribuidores.
Single P-Channel 200 V 0.5 Ohms Surface Mount Power Mosfet - D2PAK-3
MOSFET P-CH 200V 11A D2PAK | Siliconix / Vishay IRF9640SPBF
HEXFET POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 200V, 0.5ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
Transistor Polarity:p Channel; Drain Source Voltage Vds:200V; Continuous Drain Current Id:11A; On Resistance Rds(On):0.5Ohm; Transistor Mounting:surface Mount; Rds(On) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4V; No. Of Pins:3Pinsrohs Compliant: No
MOSFET, P, D2-PAK; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:11A; Drain Source Voltage Vds:200V; On Resistance Rds(on):500mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage Vgs Typ:-4V; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:D2-PAK; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Alternate Case Style:D2-PAK; Current Id Max:-11A; Current Temperature:25°C; Full Power Rating Temperature:25°C; Package / Case:D2-PAK; Power Dissipation Pd:125W; Power Dissipation Pd:125W; Power Dissipation on 1 Sq. PCB:3W; Pulse Current Idm:44A; SMD Marking:IRF9640S; Termination Type:SMD; Voltage Vds:200V; Voltage Vds Typ:-200V; Voltage Vgs Max:20V; Voltage Vgs Rds on Measurement:-10V; Voltage Vgs th Max:-4V
Nomes alternativos do fabricante
Vishay possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Vishay também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Polytech
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageD2PAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Weight1.437803 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)11 A
Drain to Source Breakdown Voltage-200 V
Drain to Source Resistance500 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)-200 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time38 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.2 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation125 W
Min Breakdown Voltage200 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs-4 V
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation3 W
Rds On Max500 mΩ
Resistance500 mΩ
Rise Time43 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage-4 V
Turn-Off Delay Time39 ns
Turn-On Delay Time14 ns
Dimensions
Height5.08 mm
Length10.67 mm
Width9.65 mm
Conformidade
Classificação ambiental
Lead FreeLead Free
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declarações de conformidade