Vishay IRF840STRRPBF
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Cadeia de suprimentos
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1994-02-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 months ago)
Peças relacionadas
STMicroelectronicsSTB9NK50ZT4
STB9NK50ZT4 N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 7.2 A, 500 V, 3-PIN D2PAK
STMicroelectronicsSTB10NK60ZT4
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10A; 0.75ohm; 115W; -55+150 deg.C; SMD; TO263 (D2PAK)
Descrições
Descrições de Vishay IRF840STRRPBF fornecidas pelos seus distribuidores.
IRF840S Series 500 V 850 mOhm 3.1 W 63 nC N-Channel MOSFET - D2PAK
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 500V, 0.85ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
MOSFET; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage, Vds:500V; Continuous Drain Current, Id:8A; On Resistance, Rds(on):850mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:10V; Package/Case:D2PAK ;RoHS Compliant: Yes
Nomes alternativos do fabricante
Vishay possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Vishay também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- Vishay Techno
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
Histórico de estoque
Tendência de 3 meses: -4.16%
Modelos CAD
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Peças alternativas
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageD2PAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Weight1.437803 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)8 A
Drain to Source Breakdown Voltage500 V
Drain to Source Resistance850 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)500 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time20 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.3 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation125 W
Min Breakdown Voltage500 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation3.1 W
Rds On Max850 mΩ
Rise Time23 ns
Turn-Off Delay Time49 ns
Turn-On Delay Time14 ns
Dimensions
Height4.83 mm
Length10.67 mm
Width9.65 mm
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade