Vishay IRF720
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Cadeia de suprimentos
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1984-10-10
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 9 months ago)
LTB Date2015-11-20
LTD Date2016-05-20
Peças relacionadas
VishayIRFI720GPBF
Single N-Channel 400 V 1.8 Ohm 20 nC 30 W Silicon Flange Mount Mosfet - TO-220-3
onsemiFDPF5N50NZF
N CH MOSFET, UNITFET, 500V, 4.2A, TO-220F; Transistor Polarity:N Channel; Contin
InfineonIRFB812PBF
MOSFET N CH 500V 3.6A TO220AB N-Channel 500 V 3.6A (Tc) 78W (Tc) Through Hole TO-220AB
onsemiFDPF5N50NZU
N-Channel Power MOSFET, UniFETTM II, Ultra FRFETTM, 500 V, 3.9 A, 2.0 Ω, TO-220F
Descrições
Descrições de Vishay IRF720 fornecidas pelos seus distribuidores.
Tube Through Hole N-Channel Single Mosfet Transistor 3.3A Tc 3.3A 50W 13ns
Power Field-Effect Transistor, 3.3A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
N-CHANNEL POWER MOSFETS | MOSFET N-CH 400V 3.3A TO-220AB
DIODE GEN PURP 200V 4A DO201AB
Nomes alternativos do fabricante
Vishay possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Vishay também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY OPTO
- VISHAY FOIL RESISTORS
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Vishay Techno
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTO-220-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight6.000006 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)3.3 A
Current Rating3.3 A
Drain to Source Breakdown Voltage400 V
Drain to Source Resistance1.8 Ω
Drain to Source Voltage (Vds)400 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time13 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance410 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation50 W
Min Breakdown Voltage400 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingBulk
Power Dissipation50 W
Rds On Max1.8 Ω
Rise Time14 ns
Turn-Off Delay Time30 ns
Turn-On Delay Time10 ns
Voltage Rating (DC)400 V
Dimensions
Height9.01 mm
Length10.41 mm
Width4.7 mm
Conformidade
Classificação ambiental
Lead FreeContains Lead
REACH SVHCUnaffected
RoHSNon-Compliant
Declarações de conformidade