Vishay IRF634PBF
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Cadeia de suprimentos
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1990-01-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Peças relacionadas
InfineonIRF630NPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 200V;RDS(ON) 0.3Ohm;ID 9.3A;TO-220AB;PD 82W;VGS +/-20V
Descrições
Descrições de Vishay IRF634PBF fornecidas pelos seus distribuidores.
Single N-Channel 250 V 0.45 Ohms Flange Mount Power Mosfet - TO-220AB
74W(Tc) 20V 4V@ 250¦ÌA 41nC@ 10 V 1N 250V 450m¦¸@ 5.1A,10V 8.1A 770pF@25V TO-220AB 9.01mm
Trans MOSFET N-CH 250V 8.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
MOSFET, N-CH, 250V, 8.1A, TO-220AB; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 8.1A; Drain Source Voltage Vds: 250V; On Resistance Rds(on): 0.45ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 4V; P
Power Field-Effect Transistor, 8.1A I(D), 250V, 0.45ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
Nomes alternativos do fabricante
Vishay possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Vishay também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Polytech
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTO-220AB
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight6.000006 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)8.1 A
Drain to Source Resistance450 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)250 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time19 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance770 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation74 W
Min Breakdown Voltage250 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs4 V
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingBulk
Power Dissipation74 W
Rds On Max450 mΩ
Resistance450 mΩ
Rise Time21 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage4 V
Turn-Off Delay Time42 ns
Turn-On Delay Time9.6 ns
Dimensions
Height9.01 mm
Length10.41 mm
Width4.7 mm
Conformidade
Classificação ambiental
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declarações de conformidade