Vishay IRF610PBF

Name: Vishay IRF610PBF
Brand: Vishay
SKU: IRF610PBF

Single N-Channel 200 V 1.5 Ohms Flange Mount Power Mosfet - TO-220AB

$ 0.371

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Distributor		SKU		Min
Avnet	2	63J7327	943	1K				0,831	0,831	3d
Newark	3	IRF610PBF.	5.514	1	1,100	1,020	0,868	0,800	0,783
Arrow Electronics	2	IRF610PBF	1.508	1	0,560	0,560	0,549	0,399	0,399
Verical	2	IRF610PBF	100	24			0,371	0,316	0,282
CoreStaff		ST63699819	1.000	1	1,211	1,211	0,805	0,749	0,744	7h

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Newark

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Future Electronics

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Cadeia de suprimentos

Country of OriginMainland China

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95

Introduction Date1990-01-01

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 weeks ago)

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Detalhes

Descrições

Descrições de Vishay IRF610PBF fornecidas pelos seus distribuidores.

Single N-Channel 200 V 1.5 Ohms Flange Mount Power Mosfet - TO-220AB

Future Electronics

Power MOSFET, N Channel, 200 V, 3.3 A, 1.5 ohm, TO-220AB, Through Hole

Avnet

Trans MOSFET N-CH 200V 3.3A 3-Pin (3+Tab) TO-220AB

Verical

200V 3.3A 1.5´Î@10V2A 36W 4V@250Ã×A N Channel TO-220(TO-220-3) MOSFETs ROHS

Dasenic

Power Field-Effect Transistor, 3.3A I(D), 200V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB

Semicontronic

MOSFET, N, 200V, 3.3A, TO-220; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:3.3A; Drain Source Voltage Vds:200V; On Resistance Rds(on):1.5ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:4V; Power Dissipation Pd:36W; Transistor Case Style:TO-220AB; No. of Pins:3; Current Id Max:3.3A; Junction to Case Thermal Resistance A:3.5°C/W; Package / Case:TO-220AB; Power Dissipation Pd:36W; Power Dissipation Pd:36W; Pulse Current Idm:10A; Termination Type:Through Hole; Voltage Vds Typ:200V; Voltage Vgs Max:20V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V

element14 APAC

Imagens

South Microelectronics

Nomes alternativos do fabricante

Vishay possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Vishay também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:

VIS
VISH
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
Vishay Thin Film
Vishay Intertechnology
VISHA
Vishay Semiconductors
VISAHY
Vishay Intertech
VISHY
VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
Vishay Intertechnologies
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Vishay Semiconductor Opto Division
VSHAY
VISH/IR
VSHY
VSH
VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
VISHAY ELECTRONIC
VISHAY AMERICAS INC
Vishay Semiconductor Diodes Division
VISHAY OPTO
Vishay Techno
VISHAY FOIL RESISTORS
Vishay Semiconductor
Vishay Sfernice
Vishay Siliconix
Vishay Dale
Vishay BCcomponents
Vishay Angstrohm
Vishay Draloric

Números alternativos de peça

Esta peça pode ser conhecida por estes números alternativos de peça:

IRF610-PBF
IRF610PBF.

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Especificações técnicas

Physical

Case/PackageTO-220AB

MountThrough Hole

Number of Pins3

Number of Terminals3

Weight6.000006 g

Technical

Continuous Drain Current (ID)3.3 A

Current Rating3.3 A

Drain to Source Breakdown Voltage200 V

Drain to Source Resistance1.5 Ω

Drain to Source Voltage (Vdss)200 V

Element ConfigurationSingle

Fall Time8.9 ns

Gate to Source Voltage (Vgs)20 V

Input Capacitance140 pF

Max Junction Temperature (Tj)150 °C

Max Operating Temperature150 °C

Max Power Dissipation36 W

Min Breakdown Voltage200 V

Min Operating Temperature-55 °C

Nominal Vgs4 V

Number of Channels1

Number of Elements1

PackagingBulk

Power Dissipation36 W

Rds On Max1.5 Ω

Recovery Time310 ns

Resistance1.5 Ω

Rise Time17 ns

Schedule B8541290080

Threshold Voltage4 V

Turn-Off Delay Time14 ns

Turn-On Delay Time8.2 ns

Voltage200 V

Voltage Rating (DC)200 V

Dimensions

Height19.89 mm

Length10.41 mm

Width4.7 mm

Fichas técnicas e documentos

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Future Electronics

Conformidade

Classificação ambiental

China RoHSNon-Compliant

Lead FreeLead Free

Radiation HardeningNo

REACH SVHCNo

RoHSCompliant

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Rohs Statement5 páginas14 anos atrás