Vishay BPW20RF
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Tendência de 3 meses: +27.32%
Modelos CAD
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Fichas técnicas e documentos
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Modelos CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | ARQUIVOS |
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 EE Concierge | SímboloPegada | ||
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Descrições
Descrições de Vishay BPW20RF fornecidas pelos seus distribuidores.
920 nm ±50° Sensitivity 10 V 1 nA Through Hole Silicon Photodiode - TO-5
IR-photodiode Photoelectric current: 20...60 µA Package: TO-5 Wavelength of max. photosensitivity: 920 nm
Photodiode PIN Module 920nm 2-Pin TO-5
VISHAY SEMICONDUCTOR BPW20RF DIODE, PHOTO, 920NM, 50 , TO-5-2
Photodiode 10V 300mW 920nm BPW20RF
10V 920nm 100° 550nm~1040nm 2nA TO-5 Photodiodes ROHS
SILICON PHOTODIODE Photo Diode
PHOTODIODE PIN SEALED SHORT TO-5
SENSOR PHOTODIODE 920NM RADIAL
PHOTODIODE, 0.05A, 1.3V; Wavelength, Peak:920nm; Voltage, Vr Max:10V; Dark Current:2nA; Rise Time:3.4µs; Voltage, Breakdown:10V; Operating Temperature Range:-55°C to +125°C; Active Area:7.5mm²; Case Style:TO-5
Nomes alternativos do fabricante
Vishay possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Vishay também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- Vishay Techno
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
Histórico de estoque
Tendência de 3 meses: +27.32%
Modelos CAD
Baixe o símbolo, a pegada e o 3D STEP
Peças alternativas
0 peça disponível
Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTO-5
MountPCB, Through Hole
Number of Pins2
ShapeRound
Technical
Ambient Temperature Range High125 °C
Breakdown Voltage10 V
Capacitance1.2 nF
Dark Current30 nA
Diode TypePIN
Fall Time3.7 µs
Forward Current50 mA
Forward Voltage1 V
Lens StyleFlat
Max Junction Temperature (Tj)125 °C
Max Operating Temperature125 °C
Max Power Dissipation300 mW
Max Reverse Voltage (DC)10 V
Min Operating Temperature-40 °C
Number of Circuits1
PackagingBulk
Peak Wavelength920 nm
Power Dissipation300 mW
Response Time3.4 µs
Reverse Breakdown Voltage10 V
Reverse Voltage10 V
Reverse Voltage (DC)10 V
Rise Time3.4 µs
Schedule B8541406050
Viewing Angle100 °
Wavelength920 nm
Dimensions
Height3.3 mm
Length9.1 mm
Width9.1 mm
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade