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| FONTE | eCAD | mCAD | ARQUIVOS |
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 Component Search Engine | SímboloPegada | 3D | Baixar |
 EE Concierge | SímboloPegada |
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Cadeia de suprimentos
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2018-06-13
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2023-12-31
LTD Date2024-03-30
Descrições
Descrições de Transphorm TP65H050WS fornecidas pelos seus distribuidores.
Power Field-Effect Transistor
GANFET N-CH 650V 34A TO247-3
650 V 34 A CASCODE GAN FET
Nomes alternativos do fabricante
Transphorm possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Transphorm também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- TRANSPHORM INC
Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTO-247-3
Technical
Continuous Drain Current (ID)36 A
Drain to Source Breakdown Voltage650 V
Drain to Source Resistance50 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)650 V
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Power Dissipation119 W
Turn-Off Delay Time86 ns
Turn-On Delay Time51 ns
Dimensions
Height25.59 mm
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