Toshiba RN2306,LF
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Descrições
Descrições de Toshiba RN2306,LF fornecidas pelos seus distribuidores.
300mV@ 250¦ÌA,5mA PNP - Pre-Biased 100mW -5V 500nA -50V 50V 100mA SC-70 2mm*1.25mm*900¦Ìm
Trans GP BJT PNP 50V 0.1A 3-Pin USM Embossed T/R
Small Signal Bipolar Transistor
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC70
Nomes alternativos do fabricante
Toshiba possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Toshiba também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- TOSH
- TOS
- Toshiba Semiconductor and Storage
- TOSHIB
- SMK
- TOSHIBA CORP
- TOSHI
- TSENG
- TOSHIBA CORPORATION
- Toshiba America Electronic Components
- TSH
- Toshiba Memory America Inc
- MARKTECH OPTOELECTRONICS
- TOSHIBA ELECTRONICS
- Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
- Toshiba America
- TOSHIBA ELECTRONIC COMPONENTS
- Toshiba Semiconductor
- Toshiba Lifestyle Products
- Toshiba America Electronic Components Inc
- TOSHIBA-PB FREE
- TOSHIBA SEMI
- TOSHIBAPb
- TOBHIBA
- TOSHBA
Histórico de estoque
Tendência de 3 meses: -1.31%
Modelos CAD
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageSC
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight28.009329 mg
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)-50 V
Collector Emitter Breakdown Voltage50 V
Collector Emitter Saturation Voltage300 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)50 V
Continuous Collector Current-100 mA
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)-5 V
hFE Min80
Max Breakdown Voltage50 V
Max Collector Current100 mA
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation100 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape & Reel (TR)
PolarityPNP
Power Dissipation100 mW
Transition Frequency200 MHz
Dimensions
Height900 µm
Length2 mm
Width1.25 mm
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