Toshiba 2SD2012
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Baixe as fichas de dados e a documentação do fabricante para Toshiba 2SD2012.
Descrições
Descrições de Toshiba 2SD2012 fornecidas pelos seus distribuidores.
Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin
NPN TRIPLE DIFFUSED TYPE (AUDIO FREQUENCY POWER AMPLIFIER APPLICATIONS)
TRANS NPN 60V 3A TO-220F
2W 7V 60V 60V 3A TO-220
new, original packaged
Nomes alternativos do fabricante
Toshiba possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Toshiba também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- TOSH
- TOS
- Toshiba Semiconductor and Storage
- TOSHIB
- SMK
- TOSHIBA CORP
- TOSHI
- TSENG
- TOSHIBA CORPORATION
- Toshiba America Electronic Components
- TSH
- Toshiba Memory America Inc
- MARKTECH OPTOELECTRONICS
- TOSHIBA ELECTRONICS
- Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
- Toshiba America
- TOSHIBA ELECTRONIC COMPONENTS
- Toshiba Semiconductor
- Toshiba Lifestyle Products
- Toshiba America Electronic Components Inc
- TOSHIBA-PB FREE
- TOSHIBA SEMI
- TOSHIBAPb
- TOBHIBA
- TOSHBA
Histórico de estoque
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Modelos CAD
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Peças alternativas
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Especificações técnicas
Physical
Number of Terminals3
Technical
Collector Emitter Saturation Voltage1 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)60 V
hFE Min20
Max Collector Current3 A
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2 W
Number of Elements1
PolarityNPN
Power Dissipation25 W
Transition Frequency3 MHz
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