Texas Instruments CSD25211W1015
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Diodes Inc.DMP2035U-7
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VishaySI1424EDH-T1-GE3
SI1424EDH-T1-GE3 N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 4 A, 20 V, 6-PIN SOT-363
Descrições
Descrições de Texas Instruments CSD25211W1015 fornecidas pelos seus distribuidores.
-20-V, P channel NexFET™ power MOSFET, single WLP 1 mm x 1.5 mm, 33 mOhm, gate ESD protection 6-DSBGA -55 to 150
1W(Ta) 6V 1.1V@250µA 4.1nC@4.5V P-Ch MOSFET 20V 33mΩ@1.5A,4.5V 3.2A 570pF@10V BGA SMD 1.5mm × 1mm × 625μm
Trans MOSFET N-CH 20V 3.2A 6-Pin DSBGA T/R
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P-CHANNEL; Configuration: SINGLE; Surface Mount: YES; Maximum Power Dissipation (Abs): 1 W; Maximum Drain-Source On Resistance: .044 ohm; Moisture Sensitivity Level (MSL): 1;
Nomes alternativos do fabricante
Texas Instruments possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Texas Instruments também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- TI
- TEXAS
- TEXAS INST
- TEXAS INSTR
- TEXAS INSTRUMENT
- TEXAS INSTRUMENTS INC
- TEXAS INS
- TEXAS INSTRU
- TEXAS INSTRUMEN
- TI/NS
- TEX
- Texas Instruments (TI)
- TEXASIN
- TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED
- TEXINS
- TEXAS INTRUMENTS
- TEAXS
- TEXASI
- TI Texas Instruments
- TEXAS INSTRUM
- TEXAS USD
- TEXAS INSRUMENTS
- TEXAS INSRUMENT
- TEXAS INSTUMENTS
- TI-ROHS
- Texas Instr.
- Texas Instruments Inc.
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Especificações técnicas
Physical
Contact PlatingCopper, Silver, Tin
MountSurface Mount
Number of Pins6
Technical
Continuous Drain Current (ID)-3.2 A
Drain to Source Breakdown Voltage-20 V
Drain to Source Resistance27 mΩ
Drain to Source Voltage (Vds)-20 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time14.2 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)-6 V
Input Capacitance570 pF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingTape & Reel (TR)
Power Dissipation1 W
Rds On Max33 mΩ
Rise Time8.8 ns
Turn-Off Delay Time36.9 ns
Turn-On Delay Time13.6 ns
Dimensions
Height1 mm
Length1.5 mm
Thickness2 mm
Width1.8 mm