Texas Instruments CSD19531KCS
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MOSFET N-Ch 75V 80A 136W(Tc) 3.8V@70µA 55nC@10V 6.2mΩ@73A,10V 3.84nF@37.5V TO-220 TH 9.45mm H
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N-channel 100 V, 0.0085 Ohm typ., 80 A STripFET F7 Power MOSFET in TO-220 package
Descrições
Descrições de Texas Instruments CSD19531KCS fornecidas pelos seus distribuidores.
100-V, N channel NexFET™ power MOSFET, single TO-220, 7.7 mOhm 3-TO-220 -55 to 175
Trans MOSFET N-CH Si 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 100V, 0.0088ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220
214W(Tc) 20V 3.3V@ 250µA 38nC@ 10 V 1individualNChannel 100V 7.7mΩ@ 60A,10V 100A 3.87nF@50V TO-220-3 Through hole mounting 10.67mm*4.7mm*16.51mm
MOSFET, N CHANNEL, 100V, 100A, TO-220-3; Polarité transistor: Canal N; Courant de drain Id: 100A; Tension Vds max..: 100V; Résistance Rds(on): 0.0064ohm; Tension, mesure Rds: 10V; Tension de seuil Vgs: 2.7V; Dissipation de pui
Mosfet, N Channel, 100V, 100A, To-220-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:100A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(On):0.0064Ohm; Rds(On) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:2.7V; Powerrohs Compliant: Yes |TEXAS INSTRUMENTS CSD19531KCS
Nomes alternativos do fabricante
Texas Instruments possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Texas Instruments também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- TI
- TEXAS
- TEXAS INST
- TEXAS INSTR
- TEXAS INSTRUMENT
- TEXAS INSTRUMENTS INC
- TEXAS INS
- TEXAS INSTRU
- TEXAS INSTRUMEN
- TI/NS
- TEX
- Texas Instruments (TI)
- TEXASIN
- TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED
- TEXINS
- TEXAS INTRUMENTS
- TEAXS
- TEXASI
- TI Texas Instruments
- TEXAS INSTRUM
- TEXAS USD
- TEXAS INSRUMENTS
- TEXAS INSRUMENT
- TEXAS INSTUMENTS
- TI-ROHS
- Texas Instr.
- Texas Instruments Inc.
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTO-220
Contact PlatingTin
MountThrough Hole
Number of Pins3
Weight6.000006 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)105 A
Drain to Source Voltage (Vds)100 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time4.1 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance3.87 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation179 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation179 W
Rds On Max7.7 mΩ
Rise Time7.2 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage2.7 V
Turn-Off Delay Time16 ns
Turn-On Delay Time8.4 ns
Dimensions
Height4.7 mm
Length10.16 mm
Thickness4.58 mm
Width8.7 mm
Conformidade
Classificação ambiental
Lead FreeLead Free
REACH SVHCUnaffected
RoHSCompliant
Declarações de conformidade