Texas Instruments CSD18503KCS
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N-channel 40 V, 3.8 mOhm, 80 A, TO-220 STripFET(TM) VI DeepGATE(TM) Power MOSFET
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N-Channel 30V - 0.0056Ohm - 90A - TO-220 LOOhm GATE CHARGE StripFET(TM) II POWER MOSFET
Descrições
Descrições de Texas Instruments CSD18503KCS fornecidas pelos seus distribuidores.
40-V, N channel NexFET™ power MOSFET, single TO-220, 4.5 mOhm 3-TO-220 -55 to 175
Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
188W(Tc) 20V 2.3V@ 250µA 36nC@ 10 V 1individualNChannel 40V 4.5mΩ@ 75A,10V 100A 3.15nF@20V TO-220-3 Through hole mounting 10.67mm*4.7mm*16.51mm
Nomes alternativos do fabricante
Texas Instruments possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Texas Instruments também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- TI
- TEXAS
- TEXAS INST
- TEXAS INSTR
- TEXAS INSTRUMENT
- TEXAS INSTRUMENTS INC
- TEXAS INS
- TEXAS INSTRU
- TEXAS INSTRUMEN
- TI/NS
- TEX
- Texas Instruments (TI)
- TEXASIN
- TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED
- TEXINS
- TEXAS INTRUMENTS
- TEAXS
- TEXASI
- TI Texas Instruments
- TEXAS INSTRUM
- TEXAS USD
- TEXAS INSRUMENTS
- TEXAS INSRUMENT
- TEXAS INSTUMENTS
- TI-ROHS
- Texas Instr.
- Texas Instruments Inc.
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTO-220
Contact PlatingTin
MountThrough Hole
Number of Pins3
Technical
Continuous Drain Current (ID)100 A
Drain to Source Breakdown Voltage40 V
Drain to Source Resistance5.4 mΩ
Drain to Source Voltage (Vds)40 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time6.8 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance3.15 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation143 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation143 W
Rds On Max4.5 mΩ
Rise Time5.3 ns
Turn-Off Delay Time14 ns
Turn-On Delay Time5.7 ns
Dimensions
Height4.7 mm
Length10.16 mm
Thickness4.58 mm
Width8.7 mm
Conformidade
Classificação ambiental
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
RoHSCompliant
Declarações de conformidade