Texas Instruments CSD16321Q5
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Kit de avaliação
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NXP SemiconductorsPSMN1R9-25YLC,115
Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
Descrições
Descrições de Texas Instruments CSD16321Q5 fornecidas pelos seus distribuidores.
25-V, N channel NexFET™ power MOSFET, single SON 5 mm x 6 mm, 2.6 mOhm 8-VSON-CLIP -55 to 150
N CHANNEL POWER MOSFET, NEXFET, 25V, 100A, SON-8
Trans MOSFET N-CH 25V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R
Trans MOSFET N-CH 25V 31A 8-Pin SON T/R
Texas Instruments NMOS NexFET, Vds=25 V, 100 A, VSON-CLIP, , 8
Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 25V, 0.0035ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
CSD16321Q5 25V, N CH NEXFET MOSF
Mosfet, N Ch, 25V, 100A, 8Son; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:100A; Drain Source Voltage Vds:25V; On Resistance Rds(On):0.0019Ohm; Rds(On) Test Voltage Vgs:4.5V; Threshold Voltage Vgs:1.1V; Power Rohs Compliant: Yes |TEXAS INSTRUMENTS CSD16321Q5
Nomes alternativos do fabricante
Texas Instruments possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Texas Instruments também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- TI
- TEXAS
- TEXAS INST
- TEXAS INSTR
- TEXAS INSTRUMENT
- TEXAS INSTRUMENTS INC
- TEXAS INS
- TEXAS INSTRU
- TEXAS INSTRUMEN
- TI/NS
- TEX
- Texas Instruments (TI)
- TEXASIN
- TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED
- TEXINS
- TEXAS INTRUMENTS
- TEAXS
- TEXASI
- TEXAS INSTRUM
- TI Texas Instruments
- TEXAS USD
- TEXAS INSRUMENTS
- TEXAS INSRUMENT
- TEXAS INSTUMENTS
- TI-ROHS
- Texas Instr.
- Texas Instruments Inc.
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Especificações técnicas
Physical
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins8
Technical
Continuous Drain Current (ID)100 A
Drain to Source Breakdown Voltage25 V
Drain to Source Resistance2.1 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)25 V
Dual Supply Voltage25 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time17 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)10 V
Input Capacitance3.1 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation3.1 W
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs1.1 V
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation3.1 W
Rds On Max2.4 mΩ
Rise Time15 ns
Schedule B8541290080
TerminationSMD/SMT
Threshold Voltage1.1 V
Turn-Off Delay Time27 ns
Turn-On Delay Time9 ns
Dimensions
Height1.05 mm
Length5 mm
Thickness1 mm
Width6 mm
Conformidade
Classificação ambiental
Lead FreeContains Lead
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declarações de conformidade