Texas Instruments CSD13306WT
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Descrições
Descrições de Texas Instruments CSD13306WT fornecidas pelos seus distribuidores.
12-V, N channel NexFET™ power MOSFET, single WLP 1 mm x 1.5 mm, 10.2 mOhm 6-DSBGA -55 to 150
MOSFET N-CH 12V 6DSBGA / Trans MOSFET N-CH 12V 3.5A 6-Pin DSBGA T/R
Small Signal Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 12V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
CSD13306W 12V, N CHANNEL NEXFET
Nomes alternativos do fabricante
Texas Instruments possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Texas Instruments também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- TI
- TEXAS
- TEXAS INST
- TEXAS INSTR
- TEXAS INSTRUMENT
- TEXAS INSTRUMENTS INC
- TEXAS INS
- TEXAS INSTRU
- TEXAS INSTRUMEN
- TI/NS
- TEX
- Texas Instruments (TI)
- TEXASIN
- TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED
- TEXINS
- TEXAS INTRUMENTS
- TEAXS
- TEXASI
- TI Texas Instruments
- TEXAS INSTRUM
- TEXAS USD
- TEXAS INSRUMENTS
- TEXAS INSRUMENT
- TEXAS INSTUMENTS
- TI-ROHS
- Texas Instr.
- Texas Instruments Inc.
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Especificações técnicas
Physical
Contact PlatingCopper, Silver, Tin
MountSurface Mount
Number of Pins6
Technical
Continuous Drain Current (ID)3.5 A
Drain to Source Voltage (Vds)12 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time8 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)10 V
Input Capacitance1.37 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1.9 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
PackagingTape & Reel (TR)
Power Dissipation1.9 W
Rds On Max10.2 mΩ
Rise Time11 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage1 V
Turn-Off Delay Time20 ns
Turn-On Delay Time7 ns
Dimensions
Height1 mm
Length1.5 mm
Thickness2 mm
Width1.8 mm