Texas Instruments CSD13302W
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Trans MOSFET P-CH 12V 9.1A 6-Pin UDFN EP T/R / MOSFET P-CH 12V 9.1A 6UDFN
Diodes Inc.DMP1022UFDF-7
Power MOSFET, P Channel, 12 V, 9.5 A, 0.012 ohm, U-DFN2020, Surface Mount
Descrições
Descrições de Texas Instruments CSD13302W fornecidas pelos seus distribuidores.
12-V, N channel NexFET™ power MOSFET, single WLP 1 mm x 1 mm, 17.1 mOhm 4-DSBGA -55 to 150
MOSFET N-CH 12V 1.6A 4DSBGA / N-Channel 12 V 1.6A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount 4-DSBGA (1x1)
Trans MOSFET N-CH 12V 1.6A 4-Pin DSBGA T/R
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N-CHANNEL; Configuration: SINGLE WITH BUILT-IN DIODE; Surface Mount: YES; Maximum Power Dissipation (Abs): 1.8 W; Terminal Position: BOTTOM; Peak Reflow Temperature (C): 260;
Nomes alternativos do fabricante
Texas Instruments possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Texas Instruments também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- TI
- TEXAS
- TEXAS INST
- TEXAS INSTR
- TEXAS INSTRUMENT
- TEXAS INSTRUMENTS INC
- TEXAS INS
- TEXAS INSTRU
- TEXAS INSTRUMEN
- TI/NS
- TEX
- Texas Instruments (TI)
- TEXASIN
- TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED
- TEXINS
- TEXAS INTRUMENTS
- TEAXS
- TEXASI
- TI Texas Instruments
- TEXAS INSTRUM
- TEXAS USD
- TEXAS INSRUMENTS
- TEXAS INSRUMENT
- TEXAS INSTUMENTS
- TI-ROHS
- Texas Instr.
- Texas Instruments Inc.
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Especificações técnicas
Physical
Contact PlatingCopper, Silver, Tin
MountSurface Mount
Number of Pins4
Technical
Continuous Drain Current (ID)1.6 A
Drain to Source Voltage (Vdss)12 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time7 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)10 V
Input Capacitance862 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1.8 W
Min Operating Temperature-55 °C
PackagingTape & Reel (TR)
Rds On Max17.1 mΩ
Rise Time7 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time17 ns
Turn-On Delay Time6 ns
Dimensions
Height625 µm
Length0 m
Thickness650 µm
Width0 m