STMicroelectronics STW75NF20
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Modelos CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | ARQUIVOS |
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 Component Search Engine | SímboloPegada | 3D | Baixar |
 SnapEDA | Pegada | 3D | Baixar |
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Cadeia de suprimentos
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2007-01-26
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Descrições
Descrições de STMicroelectronics STW75NF20 fornecidas pelos seus distribuidores.
N-channel 200 V, 0.028 Ohm typ., 75 A STripFET(TM) Power MOSFET in TO-247 package
N-Channel 200 V 34 mOhm Flange Mount STripFET Power Mosfet - TO-247
STW75NF20 N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 75 A, 200 V, 3-PIN TO-247
MOSFET, N CH, 200V, 75A, TO-247; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 37A; Drain Source Voltage Vds: 200V; On Resistance Rds(on): 0.028ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 3V; Powe
Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 200V, 0.034ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AB
Mosfet, N Channel, 200V, 75A, To-247; Transistor, Polaridad:Canal N; Intensidad Drenador Continua Id:37A; Tensión Drenaje-Fuente Vds:200V; Resistencia De Activación Rds(On):28Mohm; Tensión Vgs De Medición Rds(On):10V |Stmicroelectronics STW75NF20
Nomes alternativos do fabricante
STMicroelectronics possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. STMicroelectronics também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Histórico de estoque
Tendência de 3 meses: +8.67%
Modelos CAD
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Peças alternativas
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTO-247
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)75 A
Drain to Source Breakdown Voltage200 V
Drain to Source Resistance34 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)200 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time29 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance3.26 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation190 W
Min Breakdown Voltage200 V
Min Operating Temperature-50 °C
Number of Elements1
Power Dissipation190 W
Rds On Max34 mΩ
Resistance34 MΩ
Rise Time33 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage3 V
Turn-Off Delay Time75 ns
Turn-On Delay Time53 ns
Dimensions
Height20.15 mm
Length15.75 mm
Width5.15 mm
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant