STMicroelectronics STW70N60DM2
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Power MOSFET, N Channel, 600 V, 77.5 A, 0.037 ohm, TO-247, Through Hole
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N-channel 600 V, 0.052 Ohm typ., 50 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-247 package
Descrições
Descrições de STMicroelectronics STW70N60DM2 fornecidas pelos seus distribuidores.
N-channel 600 V, 0.032 Ohm typ., 67 A MDmesh DM2 Power MOSFET in TO-247 package
Trans MOSFET N-CH 600V 66A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
STMicroelectronics NMOS MDmesh DM2, Vds=600 V, 66 A, TO-247, , 3
Power Field-Effect Transistor, 66A I(D), 600V, 0.042ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247
Power MOSFETs, 600V, 66A, TO-247, Tube
STMicroelectronics SCT
Extremely high dv/dt ruggedness
Mosfet, N-Ch, 600V, 66A, 150Deg C, 446W; Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:600V; Continuous Drain Current Id:66A; Transistor Mounting:Through Hole; Rds(On) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:4V; Msl:- Rohs Compliant: Yes |Stmicroelectronics STW70N60DM2
Nomes alternativos do fabricante
STMicroelectronics possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. STMicroelectronics também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTO-247
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)66 A
Drain to Source Resistance42 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Input Capacitance5.508 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation446 W
Min Breakdown Voltage600 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Rds On Max42 mΩ
Schedule B8541210080
Threshold Voltage4 V