STMicroelectronics STW56N60M2-4
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Cadeia de suprimentos
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2014-12-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 month ago)
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N-Channel Power MOSFET, SUPERFET® II, FRFET®, 650 V, 76 A, 41 mΩ, TO-247 4L
Descrições
Descrições de STMicroelectronics STW56N60M2-4 fornecidas pelos seus distribuidores.
N-channel 600 V, 0.045 Ohm typ., 52 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO247-4 package
Power Field-Effect Transistor, 52A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
STW56N60M2-4 N-channel MOSFET Transistor, 52 A, 650 V, 4-Pin TO-247
N-Channel 600 V 55 mOhm Flange Mount MDmesh M2 Power Mosfet - TO-247-4
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MOSFET, N-CH, 600V, 52A, TO-247; Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:600V; Continuous Drain Current Id:52A; Transistor Mounting:Through Hole; Rds(on) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:3V RoHS Compliant: Yes
Nomes alternativos do fabricante
STMicroelectronics possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. STMicroelectronics também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Histórico de estoque
Tendência de 3 meses: -0.03%
Modelos CAD
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTO-247-4
MountThrough Hole
Number of Pins4
Technical
Continuous Drain Current (ID)52 A
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Element ConfigurationSingle
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance3.75 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation350 W
Number of Elements1
Rds On Max55 mΩ
Turn-Off Delay Time119 ns
Turn-On Delay Time18 ns
Dimensions
Height21.1 mm
Length15.9 mm
Width5.1 mm
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