STMicroelectronics STW43N60DM2
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Cadeia de suprimentos
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2015-06-19
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 months ago)
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MOSFET N-CH 600V 37.9A TO247-3 / N-Channel 600 V 37.9A (Tc) 278W (Tc) Through Hole PG-TO247-3
onsemiFCH125N60E
N-Channel Power MOSFET, SUPERFET® II, Easy Drive, 600 V, 29 A, 125 mΩ, TO-247
Descrições
Descrições de STMicroelectronics STW43N60DM2 fornecidas pelos seus distribuidores.
N-channel 600 V, 0.085 Ohm typ., 34 A MDmesh DM2 Power MOSFET in TO-247 package
N-Channel 600 V 93 mOhm Flange Mount MDmesh DM2 Power Mosfet - TO-247
Power Field-Effect Transistor, 34A I(D), 600V, 0.093ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247
250W(Tc) 25V 5V@ 250µA 56nC@ 10 V 1individualNChannel 600V 93mΩ@ 17A,10V 34A 2.5nF@100V TO-247-3 Through hole mounting 20.15mm(height)
MOSFET, N-CH, 600V, 34A, TO-247; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 34A; Drain Source Voltage Vds: 600V; On Resistance Rds(on): 0.085ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 4V; Powe
Nomes alternativos do fabricante
STMicroelectronics possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. STMicroelectronics também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Histórico de estoque
Tendência de 3 meses: -28.84%
Modelos CAD
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTO-247
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)34 A
Drain to Source Resistance93 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Input Capacitance2.5 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation250 W
Min Breakdown Voltage600 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Rds On Max93 mΩ
Threshold Voltage4 V
Fichas técnicas e documentos
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