STMicroelectronics STW40N60M2
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6
1
Mount
Through Hole
Through Hole
Case/Package
TO-247-3
TO-247
Drain to Source Voltage (Vdss)
600 V
600 V
Continuous Drain Current (ID)
34 A
35 A
Threshold Voltage
-
-
Rds On Max
88 mΩ
88 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
25 V
30 V
Power Dissipation
-
255 W
Input Capacitance
2.5 nF
4.2 nF
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N-Channel Power MOSFET, SUPERFET® II, Easy Drive, 600 V, 37 A, 99 mΩ, TO-247
onsemiFCH067N65S3-F155
N-Channel Power MOSFET, SUPERFET® III, Easy Drive, 650 V, 44 A, 67 mΩ, TO-247
Descrições
Descrições de STMicroelectronics STW40N60M2 fornecidas pelos seus distribuidores.
N-channel 600 V, 0.078 Ohm typ., 34 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-247 package
Mosfet, N-Ch, 600V, 34A, 150Deg C, 250W Rohs Compliant: Yes |Stmicroelectronics STW40N60M2
N-Channel 600 V 0.088 Ohm Flange Mount Power Mosfet - TO-247
250W(Tc) 25V 4V@ 250¦ÌA 57nC@ 10 V 1individualNChannel 600V 88m¦¸@ 17A,10V 34A 2.5nF@100V TO-247-3 Through hole mounting 24.45mm(height)
Nomes alternativos do fabricante
STMicroelectronics possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. STMicroelectronics também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTO-247-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight38.000013 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)34 A
Drain to Source Resistance88 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time11 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance2.5 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1.5 W
Min Breakdown Voltage600 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Rds On Max88 mΩ
Rise Time13.5 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time96 ns
Turn-On Delay Time20.5 ns
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant