STMicroelectronics STW28N60DM2
$ 1.98
Production
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Revendedores não autorizados
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Arrow Electronics | STW28N60DM2 | 660 | 600 | |||||||||
| Verical | STW28N60DM2 | 600 | 600 | |||||||||
| DigiKey | 497-16350-5-ND | 553 | 1 | Tube | ||||||||
| TME | STW28N60DM2 | 0 | 1 | 8h | ||||||||
| Avnet | STW28N60DM2 | 0 | 600 | 12h |
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| FONTE | eCAD | mCAD | ARQUIVOS |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SímboloPegada | 3D | Baixar |
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MOSFET N-CH 600V 19A TO247-3 / N-Channel 600 V 19A (Tc) 92W (Tc) Through Hole PG-TO247-3
Descrições
Descrições de STMicroelectronics STW28N60DM2 fornecidas pelos seus distribuidores.
N-channel 600 V, 0.13 Ohm typ., 21 A MDmesh DM2 Power MOSFET in TO-247 package
MOSFET N-CH 600V 21A / Extremely low gate charge and input capacitance
Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 600V, 0.16ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247
MOSFET, N-CH, 600V, 21A, TO-247; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 21A; Drain Source Voltage Vds: 600V; On Resistance Rds(on): 0.13ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 4V; Power
Nomes alternativos do fabricante
STMicroelectronics possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. STMicroelectronics também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Histórico de estoque
Tendência de 3 meses: +140%
Modelos CAD
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Peças alternativas
0 peça disponível
Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTO-247
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)21 A
Drain to Source Resistance160 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Input Capacitance1.5 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation170 W
Min Breakdown Voltage600 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Rds On Max160 mΩ
Threshold Voltage4 V
Fichas técnicas e documentos
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