STMicroelectronics STW21N90K5
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Cadeia de suprimentos
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2009-11-05
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 month ago)
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STMicroelectronicsSTW20N95K5
N-channel 950 V, 0.275 Ohm typ., 17.5 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-247 package
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MOSFET N-CH 650V 17.5A TO247-3 N-Channel 650 V 17.5A (Tc) 151W (Tc) Through Hole PG-TO247-3
InfineonIPW65R150CFDFKSA1
MOSFET N-CH 650V 22.4A TO247-3 N-Channel 650 V 22.4A (Tc) 195.3W (Tc) Through Hole PG-TO247-3
InfineonIPW65R280C6FKSA1
MOSFET N-CH 650V 13.8A TO247-3 N-Channel 650 V 13.8A (Tc) 104W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-1
Descrições
Descrições de STMicroelectronics STW21N90K5 fornecidas pelos seus distribuidores.
N-channel 900 V, 0.25 Ohm typ., 18.5 A MDmesh K5 Power MOSFET in TO-247 package
Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 900V, 0.299ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247
250W(Tc) 30V 5V@ 100µA 43nC@ 10 V 1individualNChannel 900V 299mΩ@ 9A,10V 18.5A 1.645nF@100V TO-247-3 Through hole mounting 24.45mm(height)
MOSFET, N-CH, 900V, 18.5A, TO-247; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 18.5A; Drain Source Voltage Vds: 900V; On Resistance Rds(on): 0.25ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 4V; P
Nomes alternativos do fabricante
STMicroelectronics possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. STMicroelectronics também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTO-247
MountThrough Hole
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)17 A
Drain to Source Breakdown Voltage900 V
Drain to Source Resistance299 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)900 V
Fall Time40 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance1.645 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation210 W
Min Breakdown Voltage900 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation250 W
Rds On Max299 mΩ
Resistance299 MΩ
Rise Time27 ns
Threshold Voltage4 V
Turn-Off Delay Time52 ns
Turn-On Delay Time17 ns
Dimensions
Height24.45 mm
Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant