STMicroelectronics STW18N65M5
$ 1.756
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| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DigiKey | 497-13283-5-ND | 585 | 1 | Tube | ||||||||
| TME | STW18N65M5 | 0 | 1 | 21h | ||||||||
| Future Electronics | STW18N65M5 | 0 | 30 | Tube | ||||||||
| Avnet | STW18N65M5 | 0 | 600 | 10h | ||||||||
| Arrow Electronics | STW18N65M5 | 0 | 600 |
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| FONTE | eCAD | mCAD | ARQUIVOS |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SímboloPegada | 3D | Baixar |
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MOSFET N-CH 650V 17.5A TO247-3 / N-Channel 650 V 17.5A (Tc) 151W (Tc) Through Hole PG-TO247-3
Descrições
Descrições de STMicroelectronics STW18N65M5 fornecidas pelos seus distribuidores.
N-channel 650 V, 0.198 Ohm typ., 15 A MDmesh(TM) V Power MOSFET in TO-247 package
Single N-Channel 650 V 0.22 Ohm 31 nC 110 W Silicon Flange Mount Mosfet TO-247-3
Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 650V, 0.22ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247
Mosfet, N-Ch, 650V, 15A, 150Deg C, 110W; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:15A; Drain Source Voltage Vds:650V; On Resistance Rds(On):0.198Ohm; Rds(On) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4V; Power Rohs Compliant: Yes |Stmicroelectronics STW18N65M5
Nomes alternativos do fabricante
STMicroelectronics possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. STMicroelectronics também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Histórico de estoque
Tendência de 3 meses: -9.54%
Modelos CAD
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Peças alternativas
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTO-247
MountThrough Hole
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)15 A
Drain to Source Breakdown Voltage650 V
Drain to Source Resistance220 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)650 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time9 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance1.24 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation110 W
Min Breakdown Voltage650 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation110 W
Rds On Max220 mΩ
Rise Time7 ns
Schedule B8541290080
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant