STMicroelectronics STU9HN65M2
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Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2015-04-23
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 6 months ago)
Peças relacionadas
STMicroelectronicsSTU11N65M2
N-channel 650 V, 0.6 Ohm typ., 7 A MDmesh M2 Power MOSFET in IPAK package
InfineonIPS65R1K0CEAKMA1
MOSFET N-CH 650V 4.3A TO251 / N-Channel 650 V 4.3A (Tc) 37W (Tc) Through Hole TO-251
VishaySIHU7N60E-GE3
VISHAY SIHU7N60E-GE3 Power MOSFET, N Channel, 7 A, 600 V, 0.5 ohm, 10 V, 2 V
Descrições
Descrições de STMicroelectronics STU9HN65M2 fornecidas pelos seus distribuidores.
N-channel 650 V, 0.71 Ohm typ., 5.5 A MDmesh M2 Power MOSFET in IPAK package
Mosfet, N-Ch, 650V, 5.5A, 150Deg C; Transistor Polarity:n Channel; Continuous Drain Current Id:5.5A; Drain Source Voltage Vds:650V; On Resistance Rds(On):0.71Ohm; Rds(On) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:3V; Power Rohs Compliant: Yes
Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 650V, 0.82ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251
60W(Tc) 25V 4V@ 250µA 11.5nC@ 10 V 1individualNChannel 650V 820mΩ@ 2.5A,10V 5.5A 325pF@100V IPAK，TO-251 Through hole mounting 16.1mm*6.6mm*2.4mm
Nomes alternativos do fabricante
STMicroelectronics possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. STMicroelectronics também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Histórico de estoque
Tendência de 3 meses: -0.45%
Modelos CAD
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Peças alternativas
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTO-251-3
MountThrough Hole
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)5.5 A
Drain to Source Resistance820 mΩ
Drain to Source Voltage (Vds)650 V
Input Capacitance325 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation60 W
Min Breakdown Voltage650 V
Number of Elements1
Rds On Max820 mΩ
Schedule B8541290080
Fichas técnicas e documentos
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