STMicroelectronics STU3N62K3
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Peças relacionadas
Rochester ElectronicsIPS105N03LG
MOSFET, N CH, 35A, 30V, PG-TO251-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Dr
Descrições
Descrições de STMicroelectronics STU3N62K3 fornecidas pelos seus distribuidores.
N-channel 620 V, 2.2 Ohm typ., 2.7 A SuperMESH3(TM) Power MOSFET in IPAK package
STU3N62K3 N-channel MOSFET Transistor, 2.7 A, 620 V, 3-Pin TO-251
Trans MOSFET N-CH 620V 2.7A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube / MOSFET N-CH 620V 2.7A IPAK
Power Field-Effect Transistor, 2.7A I(D), 620V, 2.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA
Mosfet, N Ch, 620V, 2.7A, To-251; Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:620V; Continuous Drain Current Id:2.7A; Transistor Mounting:Through Hole; Rds(On) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:3.75V; Msl:- Rohs Compliant: Yes |Stmicroelectronics STU3N62K3
Nomes alternativos do fabricante
STMicroelectronics possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. STMicroelectronics também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Histórico de estoque
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Modelos CAD
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Peças alternativas
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTO-251
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)2.7 A
Drain to Source Breakdown Voltage620 V
Drain to Source Resistance2.5 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)620 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time15.6 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance385 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation45 W
Min Breakdown Voltage620 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation45 W
Rds On Max2.5 Ω
Rise Time6.8 ns
Threshold Voltage3.75 V
Turn-Off Delay Time22 ns
Turn-On Delay Time9 ns
Dimensions
Height6.9 mm
Length6.6 mm
Width2.4 mm
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant