STMicroelectronics STU150N3LLH6
Obsolete
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Cadeia de suprimentos
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2008-12-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2014-01-29
LTD Date2014-07-29
Peças relacionadas
Rochester ElectronicsIPS105N03LG
MOSFET, N CH, 35A, 30V, PG-TO251-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Dr
onsemiHUF75329D3
20A, 55V, 0.026 Ohm, N-Channel UltraFET Power MOSFETs | MOSFET N-CH 55V 20A IPAK
Descrições
Descrições de STMicroelectronics STU150N3LLH6 fornecidas pelos seus distribuidores.
STU150N3LLH6 N-channel MOSFET Transistor, 80 A, 30 V, 3-Pin TO-251
N-channel 30 V, 0.0024 Ohm , 80 A, IPAK Power MOSFET
Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 30V, 0.0049ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251
MOSFET, N CH, 30V, 80A, IPAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:80A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):0.0024ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Power Dissipation Pd:110W; Transistor Case Style:TO-251; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2012)
Nomes alternativos do fabricante
STMicroelectronics possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. STMicroelectronics também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTO-251
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)80 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance4.9 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time46 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance4.04 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation110 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation110 W
Rds On Max3.3 mΩ
Rise Time18 ns
Threshold Voltage1 V
Turn-Off Delay Time75 ns
Turn-On Delay Time17 ns
Dimensions
Height6.9 mm
Length6.6 mm
Width2.4 mm
Fichas técnicas e documentos
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