STMicroelectronics STP9NK65ZFP
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N-Channel 600 V 950 mOhm Flange Mount SuperMESH Power Mosfet - TO-220FP
Descrições
Descrições de STMicroelectronics STP9NK65ZFP fornecidas pelos seus distribuidores.
N-channel 650 V - 1 Ohm - 6.4 A TO-220FP Zener-protected SuperMESH(TM) Power MOSFET
30W(Tc) 30V 4.5V@ 100¦ÌA 41nC@ 10 V 1N 650V 1.2¦¸@ 3.2A,10V 6.4A 1.145nF@25V TO-220FP 20mm
Trans MOSFET N-CH 650V 6.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
650V 6.4A 30W 1.2´Î@10V3.2A 4.5V@100Ã×A N Channel TO-220F(TO-220IS) MOSFETs ROHS
Nomes alternativos do fabricante
STMicroelectronics possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. STMicroelectronics também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Histórico de estoque
Tendência de 3 meses: -0.02%
Modelos CAD
Baixe o símbolo, a pegada e o 3D STEP
Peças alternativas
0 peça disponível
Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTO-220-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)6.4 A
Drain to Source Breakdown Voltage650 V
Drain to Source Resistance1.2 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)650 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time15 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance1.145 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation30 W
Min Breakdown Voltage650 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation30 W
Rds On Max1.2 Ω
Rise Time12 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time45 ns
Turn-On Delay Time20 ns
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSNon-Compliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant