STMicroelectronics STP9N60M2
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 SnapEDA | Pegada | 3D | Baixar |
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Cadeia de suprimentos
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2013-05-31
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 6 months ago)
Peças relacionadas
STMicroelectronicsSTF11N65M2
N-channel 650 V, 0.6 Ohm typ., 7 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP package
InfineonIPA60R650CEXKSA1
Single N-Channel 600 V 0.65 Ohm 20.5 nC CoolMOS Power Mosfet - TO-220-3FP, PG-TO220-3, RoHS
InfineonIPA60R800CEXKSA1
MOSFET N-CH 600V 5.6A TO220-FP N-Channel 600 V 5.6A (Tc) 27W (Tc) Through Hole PG-TO220-FP
Descrições
Descrições de STMicroelectronics STP9N60M2 fornecidas pelos seus distribuidores.
N-channel 600 V, 0.72 Ohm typ., 5.5 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package
STP9N60M2 N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 5.5 A, 650 V, 3-PIN TO-220
Trans MOSFET N-CH 600V 5.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 600V, 0.78ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
MOSFET, N-CH, 600V, 5.5A, TO-220AB; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 5.5A; Drain Source Voltage Vds: 600V; On Resistance Rds(on): 0.72ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 3V; P
Nomes alternativos do fabricante
STMicroelectronics possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. STMicroelectronics também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Histórico de estoque
Tendência de 3 meses: -68.65%
Modelos CAD
Baixe o símbolo, a pegada e o 3D STEP
Peças alternativas
0 peça disponível
Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTO-220-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)5.5 A
Drain to Source Breakdown Voltage650 V
Drain to Source Resistance780 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time13.5 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance320 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation60 W
Min Breakdown Voltage600 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation60 W
Rds On Max780 mΩ
Resistance780 mΩ
Rise Time7.5 ns
Turn-Off Delay Time22 ns
Turn-On Delay Time8.8 ns
Dimensions
Height15.75 mm
Length10.4 mm
Width4.6 mm
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant