STMicroelectronics STP80NF70
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Cadeia de suprimentos
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2010-06-11
Lifecycle StatusNRND (Last Updated: 1 month ago)
Peças relacionadas
InfineonIPP80N06S407AKSA2
60V, N-Ch, 7.1 mΩ max, Automotive MOSFET, TO-220, OptiMOS™-T2, PG-TO220-3, RoHS
STMicroelectronicsSTP141NF55
Transistor MOSFET Negative Channel 55 Volt 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Descrições
Descrições de STMicroelectronics STP80NF70 fornecidas pelos seus distribuidores.
Trans MOSFET N-CH 68V 98A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube / MOSFET N-CH 68V 98A TO-220AB
190W(Tc) 20V 4V@ 250¦ÌA 75nC@ 10 V 1N 68V 9.8m¦¸@ 40A,10V 98A 2.55nF@25V TO-220 9.15mm
68V 98A 9.8mΩ@10V,40A 190W 4V@250uA N Channel TO-220AB-3 MOSFETs ROHS
N-channel 68 V, 0.0082 Ohm, 98 A, TO-220 STripFET II Power MOSFET
Ciiva
Lv Mosfet Planar & Old |Stmicroelectronics STP80NF70
Power Field-Effect Transistor, 98A I(D), 68V, 0.0098ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
Power MOSFETs, N-Channel (>40V to 150V)
Power MOSFETs, 68V, 98A, TO-220, Tube
STMicroelectronics SCT
Nomes alternativos do fabricante
STMicroelectronics possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. STMicroelectronics também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Histórico de estoque
Tendência de 3 meses: -17.89%
Modelos CAD
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTO-220-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)98 A
Drain to Source Resistance9.8 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)68 V
Fall Time75 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance2.55 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation190 W
Min Breakdown Voltage68 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Rds On Max9.8 mΩ
Rise Time60 ns
Turn-Off Delay Time90 ns
Turn-On Delay Time17 ns
Fichas técnicas e documentos
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