STMicroelectronics STP5NK50Z
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Cadeia de suprimentos
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1980-01-04
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Descrições
Descrições de STMicroelectronics STP5NK50Z fornecidas pelos seus distribuidores.
N-channel 500 V, 1.22 Ohm typ., 4.4 A Zener-protected SuperMESH Power MOSFET in TO-220 package
Trans MOSFET N-CH 500V 4.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
70W(Tc) 30V 4.5V@ 50¦ÌA 28nC@ 10 V 1N 500V 1.5¦¸@ 2.2A,10V 4.4A 535pF@25V TO-220 9.15mm
MOSFET Operating temperature: -55...150 °C Housing type: TO-220 Polarity: N Power dissipation: 70 W
N-CHANNEL 500 V-1.22 OHM-4.4 A SUPERMESH POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 4.4A I(D), 500V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
N-CHANNEL500V-1.22ohm-4.4ATO-220/FP/DPAK/IPAK/I2PAK Zener-Protected SuperMESH™Power MOSFET | MOSFET N-CH 500V 4.4A TO-220
MOSFET, N, TO-220; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 4.4A; Drain Source Voltage Vds: 500V; On Resistance Rds(on): 1.22ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 3.75V; Power Dissipati
Nomes alternativos do fabricante
STMicroelectronics possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. STMicroelectronics também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Histórico de estoque
Tendência de 3 meses: -1.30%
Modelos CAD
Baixe o símbolo, a pegada e o 3D STEP
Peças alternativas
0 peça disponível
Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTO-220
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)4.4 A
Current Rating4.4 A
Drain to Source Breakdown Voltage500 V
Drain to Source Resistance1.5 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)500 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time15 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance535 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation70 W
Min Breakdown Voltage500 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation70 W
Rds On Max1.5 Ω
Recovery Time310 ns
Resistance1.5 Ω
Rise Time10 ns
Threshold Voltage3.75 V
Turn-Off Delay Time32 ns
Turn-On Delay Time15 ns
Voltage Rating (DC)500 V
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant