STMicroelectronics STP4NK80Z
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Tendência de 3 meses: -1.71%
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Cadeia de suprimentos
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1980-01-04
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 month ago)
Descrições
Descrições de STMicroelectronics STP4NK80Z fornecidas pelos seus distribuidores.
Transistor MOSFET N Channel 800 Volt 3 Amp 3 Pin 3+ Tab TO-220 Tube
N-CHANNEL 800V - 3 OHM - 3A TO-220 Zener-Protected SuperMESH(TM) Power MOSFET
N-channel 800 V, 2.7 Ohm typ., 3 A SuperMESH Power MOSFET in a TO-220 package
Ciiva
Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 800V, 3.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
MOSFET, N TO-220; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 3A; Drain Source Voltage Vds: 800V; On Resistance Rds(on): 3ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 3.75V; Power Dissipation Pd:
N Channel Mosfet, 800V, 3A, To-220; Transistor, Polaridad:Canal N; Intensidad Drenador Continua Id:3A; Tensión Drenaje-Fuente Vds:800V; Resistencia De Activación Rds(On):3Ohm; Tensión Vgs De Medición Rds(On):10V; Núm. De Contactos:3 |Stmicroelectronics STP4NK80Z
Nomes alternativos do fabricante
STMicroelectronics possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. STMicroelectronics também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Histórico de estoque
Tendência de 3 meses: -1.71%
Modelos CAD
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Peças alternativas
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTO-220
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight4.535924 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)3 A
Current Rating3 A
Drain to Source Breakdown Voltage800 V
Drain to Source Resistance3.5 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)800 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time32 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance575 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation80 W
Min Breakdown Voltage800 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation80 W
Rds On Max3.5 Ω
Resistance3.5 Ω
Rise Time12 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage3.75 V
Turn-Off Delay Time35 ns
Turn-On Delay Time13 ns
Voltage Rating (DC)800 V
Dimensions
Height9.15 mm
Length10.4 mm
Width4.6 mm
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSNon-Compliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant