STMicroelectronics STP40NF10
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Cadeia de suprimentos
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1980-01-04
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 3 weeks ago)
Descrições
Descrições de STMicroelectronics STP40NF10 fornecidas pelos seus distribuidores.
N-Channel 100V - 0.024Ohm - 50A - TO-220 LOW GATE CHARGE StripFET II MOSFET
MOSFET N-CH 100V 40A TO-220 / Trans MOSFET N-CH 100V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
STP40NF10 N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 50 A, 100 V, 3-PIN TO-220
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 50 A, 0.025 ohm, TO-220, Through Hole
MOSFET, N, TO-220; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 50A; Drain Source Voltage Vds: 100V; On Resistance Rds(on): 0.025ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 3V; Power Dissipation
N Channel Mosfet, 100V, 50A, To-220; Transistor, Polaridad:Canal N; Intensidad Drenador Continua Id:50A; Tensión Drenaje-Fuente Vds:100V; Resistencia De Activación Rds(On):0.025Ohm; Tensión Vgs De Medición Rds(On):10V |Stmicroelectronics STP40NF10
Nomes alternativos do fabricante
STMicroelectronics possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. STMicroelectronics também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Histórico de estoque
Tendência de 3 meses: -21.09%
Modelos CAD
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Peças alternativas
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTO-220
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight4.535924 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)50 A
Current Rating50 A
Drain to Source Breakdown Voltage100 V
Drain to Source Resistance28 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time28 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance2.18 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation150 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation150 W
Rds On Max28 mΩ
Resistance33 mΩ
Rise Time63 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage3 V
Turn-Off Delay Time54 ns
Turn-On Delay Time21 ns
Voltage Rating (DC)100 V
Dimensions
Height9.15 mm
Length10.4 mm
Width4.6 mm
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant