STMicroelectronics STP34NM60ND
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Cadeia de suprimentos
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2011-04-18
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 1 month ago)
LTB Date2026-09-10
LTD Date2027-03-10
Peças relacionadas
STMicroelectronicsSTP45N65M5
N-channel 650 V, 0.067 Ohm, 35 A MDmesh M5 Power MOSFET in TO-220 package
STMicroelectronicsSTP42N65M5
N-channel 650 V, 0.070 Ohm, 33 A MDmesh(TM) V Power MOSFET in TO-220
STMicroelectronicsSTP43N60DM2
N-channel 600 V, 0.085 Ohm typ., 34 A MDmesh DM2 Power MOSFET in TO-220 package
onsemiFCP125N60E
N-Channel Power MOSFET, SUPERFET® II, Easy Drive, 600 V, 29 A, 125 mΩ, TO-220
Descrições
Descrições de STMicroelectronics STP34NM60ND fornecidas pelos seus distribuidores.
N-channel 600 V, 0.097 Ohm, 29 A FDmesh(TM) II Power MOSFET (with fast diode) TO-220
Trans MOSFET N-CH 600V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
190W(Tc) 25V 5V@ 250¦ÌA 80.4nC@ 10 V 1N 600V 110m¦¸@ 14.5A,10V 29A 2.785nF@50V TO-220
MOSFET, N CH, 600V, 29A, TO 220AB; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 29A; Drain Source Voltage Vds: 600V; On Resistance Rds(on): 0.097ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 4V; Po
Nomes alternativos do fabricante
STMicroelectronics possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. STMicroelectronics também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Tendência de 3 meses: -10.31%
Modelos CAD
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Peças alternativas
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTO-220
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)29 A
Drain to Source Breakdown Voltage600 V
Drain to Source Resistance110 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time61.8 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance2.785 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation210 W
Min Breakdown Voltage600 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation190 W
Rds On Max110 mΩ
Resistance110 MΩ
Rise Time53.4 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage4 V
Turn-Off Delay Time111 ns
Turn-On Delay Time30 ns
Dimensions
Height15.75 mm
Length10.4 mm
Width4.6 mm
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant