STMicroelectronics STP20NM50
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Cadeia de suprimentos
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1980-01-04
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Peças relacionadas
STMicroelectronicsSTP21NM60ND
N-channel 600 V, 0.17 Ohm typ., 17 A, FDmesh(TM) II Power MOSFET (whit fast diode) in TO-220 package
Descrições
Descrições de STMicroelectronics STP20NM50 fornecidas pelos seus distribuidores.
Trans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube / MOSFET N-CH 500V 20A TO-220
N-channel 500 V, 0.20 Ohm typ., 20 A MDmesh(TM) Power MOSFET
Power MOSFET, N Channel, 550 V, 20 A, 0.25 ohm, TO-220, Through Hole
Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 500V, 0.25ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
Transistor Polarity:n Channel; Drain Source Voltage Vds:550V; Continuous Drain Current Id:20A; On Resistance Rds(On):0.25Ohm; Transistor Mounting:through Hole; Rds(On) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4V; No. Of Pins:3Pinsrohs Compliant: Yes
Nomes alternativos do fabricante
STMicroelectronics possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. STMicroelectronics também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Histórico de estoque
Tendência de 3 meses: -5.25%
Modelos CAD
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Peças alternativas
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTO-220
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight4.535924 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)20 A
Current Rating20 A
Drain to Source Breakdown Voltage500 V
Drain to Source Resistance250 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)500 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time8.5 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance1.48 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation110 W
Min Breakdown Voltage500 V
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements1
Power Dissipation192 W
Rds On Max250 mΩ
Resistance250 mΩ
Rise Time16 ns
Threshold Voltage4 V
Turn-Off Delay Time9 ns
Turn-On Delay Time24 ns
Voltage Rating (DC)500 V
Dimensions
Height9.15 mm
Length10.4 mm
Width4.6 mm
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSNon-Compliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant