STMicroelectronics STN3P6F6
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MOSFET, POWER, N-CH, VDSS 60V, RDS(ON) 0.2OHM, ID 2.7A, SOT-223,PD 3.1W, VGS +/-20V
Descrições
Descrições de STMicroelectronics STN3P6F6 fornecidas pelos seus distribuidores.
STN3P6F6 P-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 3 A, 60 V, 3 + TAB-PIN SOT-223
P-channel 60 V, 0.13 Ohm typ., 3 A STripFET(TM) VI DeepGATE(TM) Power MOSFET in a SOT-223 package
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Nomes alternativos do fabricante
STMicroelectronics possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. STMicroelectronics também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageSOT-223
MountSurface Mount
Number of Pins4
Number of Terminals4
Technical
Continuous Drain Current (ID)3 A
Drain to Source Breakdown Voltage-60 V
Drain to Source Resistance160 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)-60 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time3.7 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance340 pF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation2.6 W
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
Power Dissipation2.6 W
Rds On Max160 mΩ
Resistance130 MΩ
Rise Time5.3 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage-4 V
Turn-Off Delay Time14 ns
Turn-On Delay Time6.4 ns
Dimensions
Height1.9 mm
Length6.7 mm
Width3.7 mm
Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
REACH SVHCNo
RoHSCompliant