STMicroelectronics STL8P2UH7
Obsolete
Preço e estoque
Distribuidores autorizados
Distribuidores de estoque não autorizados
Revendedores não autorizados
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Microchip USA | STL8P2UH7 | 286 | 3500 | Tray | 3d | |||||||
| Component Stockers USA | STL8P2UH7 | 726 | >1wk | |||||||||
| Win Source | WS-STL8P2UH7 | 6.763 | 170 | 26m | ||||||||
| Worldway Electronics | STL8P2UH7 | 26.374 | 7 | Tape & Reel | 23h | |||||||
| Anlinkda | STL8P2UH7 | 21.118 | 2d |
Fichas técnicas e documentos
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| FONTE | eCAD | mCAD | ARQUIVOS |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SímboloPegada | 3D | Baixar |
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Cadeia de suprimentos
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2014-06-04
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2018-08-10
LTD Date2019-02-10
Peças relacionadas
VishaySI7232DN-T1-GE3
SI7232DN-T1-GE3 Dual N-channel MOSFET Transistor; 24 A; 20V; 8-Pin PowerPAK 1212
Descrições
Descrições de STMicroelectronics STL8P2UH7 fornecidas pelos seus distribuidores.
P-channel 20 V, 0.0195 Ohm typ., 8 A STripFET(TM) VII DeepGATE(TM) Power MOSFET in a PowerFLAT(TM) 2x2 package
Trans MOSFET P-CH 30V 8A 6-Pin Power Flat EP T/R
2.4W(Tc) 8V 1V@ 250¦ÌA 22nC@ 4.5 V 1P 20V 22.5m¦¸@ 4A,4.5V 8A 2.39nF@16V
MOSFET P-CH 20V 8A POWERFLAT22
Nomes alternativos do fabricante
STMicroelectronics possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. STMicroelectronics também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Especificações técnicas
Physical
MountSurface Mount
Number of Pins6
Technical
Continuous Drain Current (ID)8 A
Drain to Source Breakdown Voltage20 V
Drain to Source Resistance22.5 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)20 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time84.5 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)8 V
Input Capacitance2.39 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2.4 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingTape & Reel (TR)
Power Dissipation2.4 W
Rds On Max22.5 mΩ
Rise Time30.5 ns
Turn-Off Delay Time128 ns
Turn-On Delay Time12.5 ns
Fichas técnicas e documentos
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