STMicroelectronics STL8DN4LLF6
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| FONTE | eCAD | mCAD | ARQUIVOS |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SímboloPegada | 3D | Baixar |
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Descrições
Descrições de STMicroelectronics STL8DN4LLF6 fornecidas pelos seus distribuidores.
Power Field-Effect Transistor, 34A I(D), 40V, 0.05ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Split Gate Trench Mosfet FET
Dual N-channel 40 V, 0.025 Ohm typ., 8 A STripFET(TM) VI DeepGATE(TM) Power MOSFET in PowerFLAT(TM) 5x6 double island package
Nomes alternativos do fabricante
STMicroelectronics possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. STMicroelectronics também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Histórico de estoque
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Especificações técnicas
Physical
Number of Terminals8
Technical
Continuous Drain Current (ID)34 A
Drain to Source Resistance50 mΩ
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation62.5 W
Min Breakdown Voltage40 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements2
Fichas técnicas e documentos
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