STMicroelectronics STL6P3LLH6
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N-Channel 30 V 0.025 Ohm Surface Mount Enhancement Mode MOSFET - MSOP-8
STMicroelectronicsSTS6P3LLH6
P-channel 30 V, 0.024 Ohm typ., 6 A, STripFET(TM) VI DeepGATE Power MOSFET in a SO-8 package
Descrições
Descrições de STMicroelectronics STL6P3LLH6 fornecidas pelos seus distribuidores.
P-channel 30 V, 0.024 Ohm typ., 6 A STripFET H6 Power MOSFET in a PowerFLAT 3.3 x 3.3 package
Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 1-Element, P-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
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Nomes alternativos do fabricante
STMicroelectronics possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. STMicroelectronics também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Histórico de estoque
Tendência de 3 meses: -2.75%
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Especificações técnicas
Physical
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Technical
Continuous Drain Current (ID)6 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance30 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)-30 V
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.45 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2.9 W
Min Breakdown Voltage30 V
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
Power Dissipation2.9 W
Rds On Max30 mΩ
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time24 ns
Turn-On Delay Time15 ns
Dimensions
Height900 µm
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
REACH SVHCNo
RoHSCompliant